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Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.

  • Modelo:MRF-1550-FNT1
  • Marca:TPL COMMUNICATIONS
  • Código SAT:32111600
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.

Características Técnicas

  • Producto: Transistor Dual Q1 (B2-189)
  • Aplicación: Amplificador TPL PA31AC
  • Marca: TPL Communications
  • Modelo: MRF1550FNT1
  • Tecnología: N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
  • Rango de Frecuencia: Hasta 175 MHz (broadband 135-175 MHz)
  • Voltaje de Operación: 12.5 Vdc
  • Potencia de Salida: 50 Watts @ 175 MHz
  • Ganancia de Potencia: 14.5 dB @ 175 MHz
  • Eficiencia: 55% @ 175 MHz

Especificaciones

  • Tipo: Transistor Dual
  • Referencia: Q1 (B2-189)
  • Compatibilidad: Amplificador PA31AC
  • Paquete: TO-272-6, CASE 1264A-03, STYLE 1
  • Terminaciones: Lead-Free, RoHS Compliant
  • Embalaje: Tape and Reel (500 unidades por reel de 44 mm)
  • Capacidad Térmica: 200°C Junction Temperature
  • Resistencia Térmica: 0.75°C/W (Junction to Case)
  • Disipación Máxima: 165 W @ TC = 25°C
Aplicación
  • Equipo: Amplificador TPL PA31AC
  • Posición: Transistor Dual Q1
  • Referencia: B2-189
  • Frecuencia: 135-175 MHz (broadband)
  • Configuración: Common-Source Amplifier
  • Bias: IDQ = 500 mA (sugerido)
Componente
  • Modelo: MRF1550FNT1
  • Tipo: Transistor
  • Configuración: Dual
  • Voltaje Drain-Source: VDSS -0.5, +40 Vdc
  • Voltaje Gate-Source: VGS ±20 Vdc
  • Corriente Drain: 12 Adc (continua)
Características Eléctricas
  • Gate Threshold Voltage: VGS(th) 1-3 Vdc
  • Drain-Source On-Voltage: RDS(on) ≤ 0.5 Ω
  • Input Capacitance: Ciss ≤ 500 pF
  • Output Capacitance: Coss ≤ 250 pF
  • Reverse Transfer Capacitance: Crss ≤ 35 pF
  • Zero Gate Voltage Drain Current: IDSS ≤ 1 μAdc

Información

  • Producto: Transistor Dual Q1 (B2-189)
  • Para: Amplificador TPL PA31AC
  • Marca: TPL Communications
  • Modelo: MRF1550FNT1
  • Fabricante: Freescale Semiconductor
  • Documento Técnico: MRF1550N Rev. 15, 6/2009
  • Aplicaciones: Mobile FM equipment 12.5V, broadband commercial/industrial
  • Capacidad VSWR: 20:1 @ 15.6 Vdc, 175 MHz, 2 dB Overdrive

Consideraciones de Diseño

  • Estabilidad Térmica: Excelente
  • Impedancias: Caracterizadas con parámetros de impedancia equivalente en serie
  • Broadband: Full power across 135-175 MHz band
  • MSL: Nivel 3 (260°C peak temperature)
  • Gate Protection: Requiere diodo zener externo (no tiene protección interna)
  • Bias: Circuito simple de divisor resistivo recomendado