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Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

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Especificaciones


Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

Características técnicas

  • Tipo: Transistor Dual Q1
  • Modelo: MRF-1550NFT1
  • Aplicación: Amplificador TPL PA31AC
  • Tecnología: N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
  • Frecuencia operativa: Hasta 175 MHz
  • Potencia de salida: 50 Watts @ 175 MHz
  • Ganancia de potencia: 14.5 dB @ 175 MHz
  • Eficiencia: 55% @ 175 MHz
  • Tensión de operación: 12.5 Vdc

Especificaciones

  • Fabricante: TPL Communications
  • Referencia: B2189
  • Compatibilidad: Diseñado para integración en sistemas TPL
  • Paquete: TO-272-6, CASE 1264-10, STYLE 1
  • Tensión drenaje-fuente máxima: 40 Vdc
  • Tensión puerta-fuente máxima: ±20 Vdc
  • Corriente de drenaje continua: 12 Adc
  • Disipación total del dispositivo: 165 W @ TC = 25°C
  • Temperatura de unión operativa: 200°C
Aplicaciones
  • Amplificadores de potencia TPL
  • Sistemas de comunicación profesional
  • Equipos de transmisión
  • Amplificadores de fuente común para aplicaciones VHF/UHF
  • Equipos móviles FM de 12.5 voltios
  • Aplicaciones de amplificación de banda ancha 135-175 MHz
Consideraciones técnicas
  • Componente específico para amplificador PA31AC
  • Compatibilidad verificada con sistemas TPL
  • Reemplazo directo según especificaciones
  • Capaz de manejar VSWR 20:1 @ 15.6 Vdc, 175 MHz
  • Excelente estabilidad térmica
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalentes en serie
  • Paquete plástico capaz de 200°C
  • Terminaciones libres de plomo (RoHS Compliant)
Características eléctricas
  • Resistencia térmica: 0.75°C/W (unión a caja)
  • Capacitancia de entrada (Ciss): ≤500 pF @ 1 MHz
  • Capacitancia de salida (Coss): ≤250 pF @ 1 MHz
  • Capacitancia de transferencia inversa (Crss): ≤35 pF @ 1 MHz
  • Corriente de drenaje a tensión cero de puerta: ≤1 μAdc
  • Tensión umbral de puerta: 1-3 Vdc
  • Resistencia drenaje-fuente encendido: ≤0.5 Ω @ VGS=5V, ID=1.2A

Información

  • Tipo: Componente electrónico
  • Categoría: Transistor de potencia
  • Uso: Integración en sistemas TPL
  • Tecnología: MOSFET Lateral RF de potencia
  • Banda operativa: 135-175 MHz (banda ancha completa)
  • Nivel de sensibilidad a humedad: MSL 3 (260°C peak)

Consideraciones de diseño

  • Dispositivo de fuente común para amplificadores RF de potencia
  • Alta ganancia y rendimiento de banda ancha
  • Inmunidad relativa al descontrol térmico
  • Capacidad de soportar cargas severamente desadaptadas
  • Sistemas de polarización simples
  • Corriente de polarización sugerida: 500 mA

Características de protección

  • Dispositivos MOS sensibles a descargas electrostáticas
  • Precauciones razonables en manejo y empaquetado requeridas
  • Sin diodo zener interno puerta-fuente
  • Protección de puerta externa recomendada si es necesaria
  • Evitar circuitos de puerta abiertos o flotantes