RadiocomunicaciónRefaccionesMisceláneo
Vista 1 del producto
Vista 2 del producto
1 / 2
Vista 1 del producto
Vista 2 del producto
Imagen

Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt.

  • Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
  • Potencia de salida de 40 Watt
  • Operación a 13.6 VCC estable
  • Diseño compacto y eficiente térmicamente
  • Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
  • Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz
ModeloB2-223
MarcaTPL COMMUNICATIONS
SAT32111607
3 años de garantía

Inicia sesión para ver precios especiales

Iniciar Sesión

Especificaciones

Características Principales

  • Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
  • Potencia de salida de 40 Watt
  • Operación a 13.6 VCC estable
  • Diseño compacto y eficiente térmicamente
  • Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas

Especificaciones Básicas

  • Tipo: Transistor bipolar NPN
  • Frecuencia: 160 MHz
  • Tensión de alimentación: 13.6 VCC
  • Configuración: Emisor común
  • Aplicación: Comunicaciones VHF
Límites Máximos
  • VCBO: 36 V
  • VCEO: 16 V
  • VCES: 36 V
  • VEBO: 4.0 V
  • IC: 8.0 A
  • PDISS: 70 W
  • TJ: +200 °C
  • TSTG: -65 a +150 °C
Especificaciones Dinámicas
  • POUT: 40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
  • GP: 9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
  • COB: 95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)
Especificaciones Estáticas
  • BVCES: 36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)
  • BVCEO: 16 V (IC=50 mA, IB=0 mA)
  • BVEBO: 4.0 V (IE=5 mA, IC=0 mA)
  • ICBO: 5 mA (VCB=15 V, IE=0 mA)
  • hFE: 20 (VCE=5 V, IC=250 mA)
Datos Térmicos
  • RTH(j-c): 1.2 °C/W

Datos de Impedancia

  • ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
  • ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)

Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V

Conexiones

  • 1: Colector
  • 2: Emisor
  • 3: Base
  • 4: Emisor

Dimensiones Mecánicas (M113)

  • A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230')
  • B: 19.94 mm (0.785')
  • C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730')
  • D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980')
  • E: 9.78 mm (0.385')

Dimensiones Mecánicas (M113) Cont.

  • F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006')
  • G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105')
  • H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180')
  • I: 7.11 mm (0.280')
  • J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255')

Rendimiento Típico

  • Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga
  • Características eléctricas especificadas a 25°C
  • Paquete plástico encapsulado con epoxi
  • Frecuencia de operación: hasta 160 MHz
  • Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.)

Aplicaciones

  • Sistemas de comunicación VHF
  • Amplificadores de potencia RF
  • Equipos de radio móvil
  • Transmisores de alta frecuencia
  • Sistemas de comunicación de alta confiabilidad

Información de Pedido

  • Código de pedido: SD1275-01
  • Marcaje: SD1275-1
  • Paquete: M113
  • Embalaje: Bandejas plásticas

Datos Adicionales

  • Revisión: 2
  • Fecha de revisión: Mayo 2004
  • Tipo de transistor: Silicio epitaxial
  • Clase de operación: Clase C