RadiocomunicaciónRefaccionesMisceláneo
Vista 1 del producto
Vista 2 del producto
Vista 3 del producto
1 / 3
Vista 1 del producto
Vista 2 del producto
Vista 3 del producto
Imagen

Transistor NPN de Silicón SD1477, 175 MHz, 12.5 Vcc, 100 Watt.

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 vatios
  • Voltaje de colector de 12.5 VCC
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética

Especificaciones

 

Transistor NPN de Silicón SD1477, 175 MHz, 12.5 Vcc, 100 Watt.

Características técnicas

  • Tipo: Transistor NPN de Silicón
  • Modelo: SD1477
  • Frecuencia: 175 MHz
  • Tensión colector-emisor: 12.5 Vcc
  • Potencia: 100 Watt
  • Ganancia de potencia (GP): 6.0 dB mínimo @ 175 MHz, 25W entrada
  • Corriente máxima del dispositivo: 20 A
  • Disipación de potencia: 270 W
  • Tensión colector-base (BVCBO): 36 V
  • Tensión colector-emisor (BVCEO): 18 V
  • Tensión emisor-base (BVEBO): 4.0 V

Información del producto

  • Marca: TPL COMMUNICATIONS
  • Modelo comercial: B2160
  • Diseño: Transistor NPN planar epitaxial de silicio Clase C
  • Aplicación principal: Comunicaciones FM VHF
  • Banda de frecuencia: 136 - 175 MHz
  • Configuración: Emisor común
  • Encapsulado: SD1477 epoxysealed
  • Resistencia térmica juntura-carcasa: 0.65 °C/W
  • Temperatura máxima de juntura: +200 °C
Aplicaciones
  • Amplificadores de RF
  • Transmisores de comunicaciones
  • Sistemas de potencia de RF
  • Equipos de transmisión profesional
  • Aplicaciones móviles VHF
  • Sistemas FM VHF
Especificaciones clave
  • Frecuencia máxima: 175 MHz
  • VCEO: 12.5 V
  • Ptot: 100 W
  • Tipo de encapsulado: SD1477
  • Ganancia de potencia: 6.0 dB mínimo @ 175 MHz
  • Corriente de fuga (ICES): ≤ 15 mA @ VCE = 15V
  • Capacitancia de salida (COB): 350 pF típica @ 1 MHz
  • Ganancia de corriente (hFE): ≥ 10 @ VCE = 5V, IC = 5A
Consideraciones técnicas
  • Requiere disipación térmica adecuada
  • Compatibilidad con circuitos de RF
  • Adecuado para aplicaciones de potencia media-alta
  • Diseño específico para comunicaciones
  • Utiliza resistores de emisor difundidos para soportar VSWR extremo
  • Emparejamiento interno de entrada optimizado para ganancia y eficiencia
  • Impedancia de entrada típica @ 175 MHz: 1.5 - j0.9 Ω
  • Impedancia de carga de colector típica @ 175 MHz: 0.5 - j1.0 Ω

Notas técnicas

  • • Transistor NPN de silicio para aplicaciones de RF
  • • Frecuencia de operación: 175 MHz
  • • Tensión colector-emisor: 12.5 Vcc
  • • Potencia de salida: 100 Watt
  • • Diseño epitaxial planar con resistores de emisor difundidos
  • • Optimizado para banda VHF 136-175 MHz
  • • Configuración emisor común para aplicaciones móviles VHF

Información de integración

  • • Modelo comercial: B2160
  • • Fabricante: TPL COMMUNICATIONS
  • • Referencia técnica: SD1477
  • • Conexión de pines: 1-Colector, 2-Base, 3-Emisor, 4-Emisor
  • • Temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C
  • • Requiere circuitos de prueba específicos para aplicaciones RF