RadiocomunicaciónRefaccionesKENWOOD / ICOM / TXPRO
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FET FINAL D/POT.P/NXR-710/TKR750V2/TK7102HKV2

  • Frecuencia de operación 136-174 MHz banda VHF
  • Potencia máxima de salida 70 W @ 175 MHz
  • 32 canales programables con alta eficiencia energética
  • Transistor MOSFET RF de silicio 30V VDSS
  • Rango de temperatura -40°C a +175°C de almacenamiento
  • Impedancia 50Ω entrada/salida con VSWR 20:1
ModeloRD70-HVF1-101
MarcaKENWOOD
SAT32101500
1 año de garantía

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Especificaciones

Características Principales

  • Frecuencia de operación: 136-174 MHz banda VHF
  • Potencia máxima de salida: 50 W
  • Capacidad de 32 canales programables
  • Pantalla LED brillante para mejor visualización
  • Rango de temperatura operativa: -30°C a +60°C

Características Técnicas

  • Transistor MOSFET de potencia RF de silicio
  • Cumple con RoHS
  • Frecuencia de operación: 175 MHz (70W) y 520 MHz (50W)
  • Tensión de drenaje a fuente (VDSS): 30V
  • Disipación del canal: 150W
  • Eficiencia alta: 60% típica en banda VHF, 55% típica en banda UHF

Aplicaciones

  • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
  • Equipos de radio móvil en bandas VHF/UHF

Especificaciones Eléctricas

  • Tensión de compuerta a fuente (VGSS): ±20V
  • Corriente de drenaje: 20A
  • Temperatura de canal: 175°C
  • Resistencia térmica unión a carcasa: 1.0°C/W
  • Corriente de drenaje a VGS=0V: 300μA (máx.)
  • Corriente de fuga de compuerta: 5μA (máx.)
  • Voltaje de umbral: 1.3V a 2.3V

Precauciones de Uso

  • Alta temperatura: El producto puede generar calor durante la operación
  • Generación de potencia de alta frecuencia: Puede generar ondas eléctricas innecesarias
  • Sensible a descargas electrostáticas (ESD)
  • No usar por debajo de la frecuencia recomendada
  • Mantener baja la temperatura del dispositivo para maximizar la confiabilidad
  • No exceder las condiciones de clasificación máxima

Condiciones de Operación

  • Tensión de alimentación: 12.5V
  • Potencia de salida: >70W @ 175MHz, >50W @ 520MHz
  • Ganancia: >10.6dB @ 175MHz, >7.0dB @ 520MHz
  • Impedancia de entrada/salida: 50Ω
  • Tensión de prueba: 12.5V (Vdd)

Dimensiones y Conexiones

  • Conexiones:
    • 1. Drenaje (DRAIN)
    • 2. Fuente (SOURCE)
    • 3. Compuerta (GATE)
  • Dimensiones: 25.0±0.3mm (largo) x 7.0±0.5mm (ancho)
  • Tolerancia VSWR: 20:1 (toda fase) en 175MHz y 520MHz

Condiciones de Almacenamiento

  • Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
  • Temperatura de canal: Máxima 175°C
  • Temperatura operativa recomendada: Hasta 120°C (canal) o 140°C (máx. 175°C)

Notas Importantes

1. Las especificaciones pueden cambiar sin previo aviso debido a mejoras del producto.

2. Los productos RD series (transistores de potencia RF) no están diseñados para uso en aplicaciones críticas como sistemas médicos, aeroespaciales o nucleares sin aprobación previa.

3. El uso de estos productos requiere evaluación completa del sistema y medidas de seguridad adecuadas.

4. El retiro de la cubierta protectora del producto anula la garantía.

5. Para aplicaciones críticas o donde pueda haber riesgos, contactar a Mitsubishi Electric Corporation o a un distribuidor autorizado.