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Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V

  • Transistor FET de alta potencia
  • Diseñado para aplicaciones de RF
  • Frecuencia de operación hasta 1 GHz
  • Voltaje de operación de 28 V
  • Corriente de drenaje de 150 mA
  • Paquete hermético para mayor durabilidad
Modelo156-000-1151
Marca
SAT32111603
3 años de garantía

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