RadiocomunicaciónRefaccionesMisceláneo
Vista 1 del producto
Vista 1 del producto
Imagen

Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

  • Transistor NPN de silicio con 400 Vc-b
  • Corriente máxima de 10 A para alta potencia
  • Capacidad de disipación de 80 Watt
  • Empaque TO-247 para aplicaciones industriales
  • Diseñado para circuitos de alta velocidad
  • Modelo:2SC-2625
  • Marca:ASTRON
  • Código SAT:32101500
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Inicia sesión para ver precios especiales

Iniciar Sesión

Especificaciones

Transistor de Potencia NPN de Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

  • Diseñado para uso en Alto-Voltaje, Alta Velocidad, en circuitos inductivos de potencia conmutada y aplicaciones en modo de conmutación tales como Reguladores de Switcheo y Convertidores.
Características Técnicas
  • Tipo: Transistor NPN de Potencia
  • Material: Silicio
  • Voltaje Colector-Base (Vc-b): 400 V
  • Corriente Colector (Ic): 10 A
  • Potencia Disipación: 80 Watt
  • Encapsulado: TO-247
  • Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 400 V
  • Voltaje Emisor-Base (Vebo): 7 V
  • Corriente Base (Ib): 2 A
  • Ganancia de Corriente (hFE): 15-60 @ Ic=5A, Vce=5V
  • Tiempo de Conmutación (tf): 0.3 μs (típico)
  • Tiempo de Almacenamiento (ts): 1.5 μs (típico)
  • Temperatura de Unión (Tj): 150°C
  • Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C
Aplicaciones
  • Circuitos de Alto-Voltaje y Alta Velocidad
  • Circuitos inductivos de potencia conmutada
  • Reguladores de Switcheo
  • Convertidores de potencia
  • Aplicaciones en modo de conmutación
  • Sistemas de control de motores
  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
  • Inversores de potencia
  • Controladores de iluminación de alta potencia

Consideraciones de Diseño

Este transistor está diseñado específicamente para aplicaciones de potencia conmutada que requieren operación a alto voltaje y alta velocidad. Su encapsulado TO-247 proporciona disipación térmica eficiente para manejar los 80W de potencia nominal.

El transistor 2SC2625 presenta características de conmutación optimizadas con tiempo de caída (tf) de 0.3 μs típico y tiempo de almacenamiento (ts) de 1.5 μs típico, adecuado para frecuencias de conmutación moderadas. La ganancia de corriente (hFE) de 15-60 @ Ic=5A, Vce=5V proporciona margen de diseño para aplicaciones de control. La temperatura máxima de unión de 150°C requiere consideración térmica adecuada en diseños de alta potencia.