Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD
- Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
- Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
- Frecuencia de operación hasta 8 GHz
- Bajo ruido y alta linealidad
- Encapsulado SMD para montaje superficial
- Compatibilidad con estándares industriales ICV8000
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