Circuito Integrado BQ2018SN-E1 para Monitor de Baterías, SOIC-8 en ANALIZADOR III.

Especificaciones Técnicas

• Circuito Integrado: BQ2018SN-E1
• Aplicación: Monitor de Baterías
• Paquete: SOIC-8
• Plataforma: ANALIZADOR III
• Tecnología: Power Minder™ IC
• Resolución: Señales menores a 12.5µV
• Consumo Operativo: <80µA (normal), <10µA (sleep)
• Rango de Voltaje: 2.8V a 5.5V (sin regulación), 3.7V ±200mV (con REG)
• Memoria NVRAM: 128 bytes (13 bytes para monitoreo de capacidad)
• Interfaz: Single-wire serial (HDQ)

Información del Componente

• Marca: SYSCOM
• Modelo: 29622215ND
• Tipo: Circuito Integrado Especializado
• Categoría: Electrónica de Potencia
• Registros Principales: DCR, CCR, SCR, DTC, CTC (todos 16-bit)
• Sensor de Temperatura: Interno (±2°C típico a 25°C)
• Backup de Registros: RBI input con <100nA de corriente
• Calibración: Offset interno programable (±500µV máximo)
• Compatibilidad: Celdas Ni-Cd, Ni-MH, Li-Ion

• Monitoreo de estado de baterías
• Sistemas de gestión de energía
• Equipos de diagnóstico de baterías
• Sistemas de backup y UPS
• Estimación de descarga autónoma basada en temperatura
• Medición de corriente de carga/descarga con alta precisión
• Sistemas con requerimientos de bajo consumo energético

• Interfaz SOIC-8 estándar
• Compatible con ANALIZADOR III
• Monitoreo preciso de parámetros
• Integración en sistemas existentes
• Multifunction charge/discharge counter
• Internal offset calibration para mejorar precisión
• REG output para microregulación de bajo costo
• Internal timebase elimina componentes externos
• Dual operating modes: Operating (<80µA) y Sleep (<10µA)

• Compatibilidad con plataforma ANALIZADOR III
• Requerimientos de montaje SOIC-8
• Consideraciones de disipación térmica
• Interfaz de comunicación estándar
• Requiere resistor sense de bajo valor entre terminal negativo y ground del pack
• HDQ requiere pullup/down resistor para controlar sleep mode
• RBI input necesita capacitor o fuente externa para backup de registros
• WAKE output indica actividad por encima del threshold programado
• SR1/SR2 inputs para medición diferencial de corriente

Circuito integrado especializado para monitoreo de baterías, diseñado para integración en sistemas ANALIZADOR III. Proporciona capacidades de medición y diagnóstico para aplicaciones de gestión de energía.

El formato SOIC-8 permite montaje estándar en PCB, facilitando la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos.

El BQ2018SN-E1 es un Power Minder™ IC que mide la caída de voltaje a través de un resistor sense de bajo valor entre el terminal negativo de la batería y el ground del pack de baterías. Utiliza registros de 16 bits para conteo de carga (CCR), descarga (DCR), descarga autónoma (SCR), y temporizadores de tiempo de carga/descarga (CTC/DTC).

Incluye sensor de temperatura interno para compensación de descarga autónoma (duplica la tasa cada 10°C sobre 25°C), calibración de offset interna para mejorar precisión, y modo sleep de ultra bajo consumo (<10µA) cuando no hay actividad detectada.

La interfaz single-wire serial (HDQ) permite comunicación con el host controller, mientras que el pin REG proporciona regulación de voltaje para operación con FET externo de bajo costo. El pin RBI mantiene los registros durante periodos de bajo voltaje con corriente de backup menor a 100nA.

Registros de Conteo: DCR (Discharge Count Register) y CCR (Charge Count Register) con incrementos de 12.5µVh, permitiendo medición precisa de corriente de carga/descarga.

Temporizadores: DTC (Discharge Time Counter) y CTC (Charge Time Counter) con tasa default de 1 count/0.8789s (4096 counts por hora).

Descarga Autónoma: SCR (Self-discharge Count Register) compensado por temperatura, con tasa base de 1 count/hora a 25°C.

Wake Output: Pin WAKE indica cuando la actividad de carga/descarga está por encima del threshold programado (0.549mV a 3.840mV según configuración).

Calibración: Modo de calibración para medir y almacenar offset de voltaje en el OFR (Offset Register), permitiendo cancelación de offset para mayor precisión.

Comunicación: Protocolo single-wire sobre pin HDQ para acceso a los 128 bytes de NVRAM, incluyendo registros de estado y datos de usuario.