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Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

  • MOSFET de canal P con 50 Voltios
  • Corriente continua de drenaje de 18 Amperios
  • Resistencia de drenaje a fuente máxima 0.14 Ohm
  • Disipación de potencia máxima 74 Watt
  • Capacitancia de entrada máxima 900 pF
  • Modelo:IRF9Z30
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111602
  • Garantía:3 años con SYSCOM

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Especificaciones

 

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

 

Características básicas
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) 60 A
Continuous Drain Current @ 100°C 11 A
Parámetros eléctricos
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9.3A, 10V
Rds On (Typical) @ Id, Vgs 93mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs(th) (Min) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Gate-Source Charge (Qgs) 10 nC @ 10V
Gate-Drain Charge (Qgd) 15 nC @ 10V
Características de operación
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Output Capacitance (Coss) 570 pF @ 25V
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 140 pF @ 25V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Forward Transconductance (gfs) 4.7 S (Typical)
Características físicas y térmicas
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Package / Case TO-220-3
Thermal Resistance Junction-to-Case 1.7 °C/W (Max)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient 80 °C/W (Max)
Linear Derating Factor 0.59 W/°C

Base Product Number

Aplicación específica

Diseñado para uso en Analizador III

Características del diodo integrado

Diodo cuerpo integrado con corriente continua de 18A y voltaje directo máximo de 6.3V @ 18A

Consideraciones técnicas para integradores

  • Transistor MOSFET de canal P con capacidad de 50V y 18A continuos
  • Resistencia ON baja (0.14Ω) para eficiencia en aplicaciones de potencia
  • Disipación máxima de 74W con gestión térmica adecuada
  • Paquete TO-220AB estándar para montaje through-hole
  • Rango de temperatura operativa amplio (-55°C a 150°C)
  • Compatibilidad con tensiones de gate de hasta ±20V
  • Corriente de pulso máxima de 60A para aplicaciones de conmutación
  • Diodo cuerpo integrado con capacidad de 18A continuos y 6.3V máximo de caída directa
  • Tiempos de conmutación rápidos: td(on) 18ns, tr 170ns, td(off) 32ns, tf 96ns
  • Resistencia térmica baja: 1.7°C/W junction-to-case para gestión térmica eficiente
  • Aplicaciones típicas: control de motores, amplificadores de audio, convertidores conmutados, circuitos de control
  • Facilidad de paralelización y excelente estabilidad térmica